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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），适用于中高压功率控制场景。其导通电阻（RDON）典型值为150毫欧，在高频开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统能效。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源转换设备、照明控制系统、电机驱动模块以及其他需要高效功率管理的电子装置。
