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本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID最大可达28A，漏源电压VDSS为500V，导通电阻RDON为150mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和良好的耐压特性，适用于各类中高功率电子系统。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效。该MOSFET可应用于电源管理、开关电路、电机驱动及高频变换器等场景，提供稳定可靠的电气控制性能，满足多样化电路设计需求。