-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和高效能表现，适用于多种高要求电路设计。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5.7mΩ，确保在高电流工作条件下仍具备良好的稳定性和较低的功率损耗。该器件采用先进工艺制造，具备快速开关响应和耐高温特性，适合应用于电源管理、高频变换器及各类精密电子设备中，为电路提供可靠的支持与保障。