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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1200V漏源耐压（VDSS）与36A额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为80mΩ，适用于高电压与大功率场景下的开关应用。器件基于高性能硅工艺设计，具备良好的导热性与工作稳定性，可广泛用于电源转换装置、电机驱动电路、储能系统及高频逆变设备中。其参数特性支持高效能、小型化电力电子方案的设计需求，适合对电气性能和长期运行可靠性有较高要求的各类应用环境。
