-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至80mΩ，适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件采用先进工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中，满足对性能与安全性要求较高的应用场景。
