-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性，典型导通电阻（RDON）为60mΩ，最大漏极电流（ID）可达29A。采用碳化硅材料，提升了器件的开关性能与热稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。可广泛用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制电路中，满足对效率与功率密度有较高要求的应用需求。
