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本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源耐压（VDSS），支持中高电压应用场景。导通电阻（RDON）为60mΩ，有效降低功率损耗，提升系统效率。器件可承载29A的连续漏极电流（ID），具备较强的电流处理能力。良好的开关特性和热稳定性使其适用于电源转换、高频开关电路及各类电子负载管理场合，为高效能电路设计提供可靠元件支持。
