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本款N沟道场效应管（MOSFET）具备17A的漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS），适用于中高功率电源管理应用。导通电阻（RDON）为100mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件采用成熟稳定的工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，可广泛应用于开关电源、直流电机驱动、LED照明控制及各类中高电压电子设备中，满足多样化电路设计需求。