-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）采用高性能工艺设计，具备优良的导电能力和稳定性。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在高电压和大电流环境下实现高效运行。器件结构优化，适用于电源转换、充电控制、能源管理等各类电子系统中的高频开关应用，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。