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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合应用于服务器电源、通信设备、新能源及高性能计算等领域的同步整流、DC-DC转换和功率开关场景。