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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统设计。器件采用先进工艺制造，支持高频工作，适合用于各类电力电子设备中的开关控制与能量调节模块，提供稳定可靠的工作表现。