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本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的性能参数，适用于多种高效率电源管理系统。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器及各类电力电子设备中的高频开关应用。