-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至12mΩ，栅源电压VGS为±20V。该器件采用高性能硅工艺，具备较低的导通损耗和高效的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。其封装设计便于散热与集成，可在多种高要求电路环境中稳定工作，提供可靠的能量传输表现。