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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.2A的最大连续漏极电流，能够承受最高100V的漏源电压。其典型内阻仅为2.8Ω，VGS阈值电压为20V。这些特性使其成为需要高效能、低功耗操作的电路的理想选择，适用于各种电子设备中的电源开关、信号放大等应用领域。