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这款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V的最大漏源电压（VDSS），适用于需要较高耐压的应用。其导通电阻（RDSON）低至50毫欧，可在3.8A的连续电流（ID）下保持低功耗特性。栅源电压（VGS）最大为±12V，提供了稳定的控制信号范围。适用于各类消费电子产品，如在便携设备的电源管理系统中作为负载开关，或者在需要精确电流控制的应用中充当关键组件。