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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的连续漏极电流，最大耐压可达100V，导通电阻为2800mΩ，在20V栅源电压条件下性能稳定。该元件适合用于需要精确电流控制的应用场景，例如便携式电子设备、电源适配器内的开关控制以及各类电子产品中的信号处理电路。其高耐压和相对较高的导通电阻特性，使其成为在有限电流需求下实现高效、可靠操作的理想选择。