HNTTFS5116PLTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN3X3-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:20A
参数2: 电压VDSS:60V
参数3: RDON:70mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 连先生
联系电话: 138 2358 3904
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款P沟道场效应管具备优良的电气特性,适用于多种电子设备。其最大连续漏极电流为20A,能够满足较高功率需求的应用场景;耐压值达到60V,保证了在较宽电压范围内的稳定工作。导通电阻仅为70mΩ,有效降低了功耗,提高了效率。栅源电压范围支持至20V,确保了良好的控制性能。凭借这些特点,该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合,是设计紧凑且高效电路的理想选择。

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