-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款P沟道MOSFET具备12A的最大持续电流（ID/A），并能承受30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧，有效降低了导通状态下的电力损耗。栅源电压（VGS/V）为20V，保证了良好的开关性能。适用于各种需要高效能和稳定性的电路设计，如日常电子设备中的电源管理模块或是消费性产品的负载保护电路。
