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这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有0.1A的额定电流，适用于低功率应用。其最大漏源电压（VDSS）为60V，确保了在高压环境下也能稳定工作。该MOSFET的导通电阻（RDSON）高达1300毫欧，表明它更适合用在对导通损耗不敏感的电路中。栅源电压（VGS）的最大值为20V，提供了足够的驱动范围。此类MOSFET常应用于电子玩具、智能家居配件或小型电子装置的信号处理与控制电路中。
