-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大持续电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。导通电阻仅为5.3毫欧（RDSON/mΩ），可在高功率应用中减少能量损失。此MOSFET的栅源电压（VGS/V）额定值为25V，确保了可靠的开关性能。适用于要求高效能和低功耗的应用场景，如便携式设备电源管理或消费电子产品中的电流控制等。
