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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适用于高电压应用场合。其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆，在大电流通过时可保持较低的功率损耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用，例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。
