-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款P沟道场效应管支持2.3A的连续漏极电流，具备20V的最大漏源电压能力。其导通电阻为120毫欧姆，确保了在工作时具有较低的能量损耗。栅源电压范围达到12V，适合于需要高精度控制的应用场合。由于其优良的电气特性和可靠性，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用设备中的电源管理电路、负载开关以及其他要求高效能转换和稳定工作的电子设计中。