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这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大漏极电流ID，能够支持较高功率的应用场景。其最大漏源电压VDSS达到60伏特，适用于多种工作环境下的电路设计。该器件的导通电阻仅为22毫欧姆，确保了低功耗和高效运行。栅源电压VGS在±20伏特范围内工作，使得它成为需要良好热性能与可靠性的电子设备的理想选择，如电源管理、消费电子产品等。