-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。