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这款P沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流，最大漏源电压（VDSS）为50V，适用于低压应用环境。其导通电阻（RDSON）为2000毫欧，在轻负载条件下可提供稳定的性能表现。栅源电压（VGS）最大为20V，使得该组件易于与其他逻辑电平电路集成。此MOSFET适用于电子设计中需要精确控制电流及电压的应用场合。