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此款P沟道场效应管（MOSFET）具有35安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），能够承受较高的工作压力。其导通电阻（RDS(on)）为13毫欧，有助于降低在大电流条件下的能量损失，提升整体效率。该器件支持高达25伏特的栅源电压（VGS），增强了其开关性能。适用于各种需要精确电流控制和高效能表现的电路设计，如电源管理、信号处理等领域。
