HAO3435_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流ID:3A
参数2: 电压VDSS:20V
参数3: RDON:60mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款P沟道场效应管(MOSFET)具有3A的连续排水电流(ID/A),额定工作电压(VDSS/V)为20V,导通电阻(RDSON/mR)为60毫欧姆,并支持最高12V的栅源电压(VGS/V)。该MOSFET适用于要求精密控制和低功耗的应用,如电子玩具中的电源路径管理、家用电器内的信号电平转换或是在个人电子产品中作为逻辑电平开关使用,确保了电路设计中的灵活性与效率。

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