HAM60N0209D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流ID:60A
参数2: 电压VDSS:20V
参数3: RDON:5mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道场效应管(MOSFET)能够承载60A的持续漏极电流,具有20V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为5mΩ,有助于减少功率损耗并提升系统效率。该MOSFET在12V栅源电压下表现出色,适用于需要高效能和快速响应的应用场合,如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。

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