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这款P沟道场效应管（MOSFET）具备1.8A的额定电流（ID），能够承受最高20V的漏源电压（VDSS），适用于设计要求较低电流而有一定电压耐受性的电路。其导通电阻（RDSON）为120毫欧，在开启状态下可有效控制能量损耗。该MOSFET支持最大±8V的栅源电压（VGS），提供了稳定的控制信号范围。适用于消费电子产品、智能家居组件内的电源路径管理或负载开关等场合。
