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此款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.1A的连续漏极电流（ID），最大漏源电压（VDSS）可达30V，导通电阻（RDS(on)）为1500毫欧，栅源电压（VGS）范围为20V。这些特性使其适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等应用场景。其低导通电阻有助于减少功耗，提高效率，同时确保了良好的热稳定性。该MOSFET的小信号开关性能优越，能够快速响应，适合于精密控制领域。
