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这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的最大漏极电流（ID/A），并能承受高达20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧（mR），确保了在高频率开关应用中的低损耗性能。该MOSFET设计用于在不超过12V的栅源电压（VGS/V）下操作，适用于各种需要紧凑且高效解决方案的场合，例如消费电子设备中的电源管理或信号处理领域。
