-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力，支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆，保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V，适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠，适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。