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这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有120A的漏极电流（ID/A），适用于需要较大电流的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为150V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。导通电阻（RDSON/mR）为9.5毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）为±20V，保证了良好的控制特性。该MOSFET适用于各种需要高效能和低损耗特性的电子设备，如电源适配器、消费类电子产品中的电源路径控制等。
