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此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至@0V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色的电气性能和可靠性，使之成为电源转换、逆变器以及精密电子设备中高频开关电源应用的理想选择，能够有效提升系统的效率和稳定性。
