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这款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS)，导通电阻为160毫欧姆(RDON)，能够有效降低系统功耗。其栅源电压范围在-1.4至&伏特(VGS)之间，属于N型晶体管。凭借出色的开关速度与效率，该产品非常适合应用于要求高性能的电源转换、消费类电子设备以及需要快速响应时间的场景中。