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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，适用于要求高效能与高频率操作的应用中。该器件工作在栅源电压（VGS）范围从-5V至@0V之间，能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用，尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。