-------<点击了解更多 + 购买>-------
此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其连续导通电流（ID/A）为17A，能够承受高达1200V（VDSS/V）的电压。器件的导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了在高电压应用中的高效性能。该管子的栅源电压（VGS/V）操作范围是-4V至!8V，增强了其在不同电路设计中的适应性。适合用于需要高电压隔离与快速开关特性的场合，如高频逆变器、电信设备的电源管理及便携式电子设备充电解决方案等。
