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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其最大导通电流（ID/A）可达120A，在断态下的最大电压（VDSS/V）为650V。该器件展现出优异的导电性能，导通状态下的电阻（RDSON/mΩ）仅为15毫欧姆，有效降低了导电过程中的能量损耗。栅源电压（VGS/V）的最大值为15V，确保了可靠的开关操作。此MOSFET适用于高性能电力转换系统，如逆变器和电源管理模块中，能够提升系统的整体效率与可靠性。
