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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续电流ID能力，适用于多种高效率电力转换应用。其最大漏源电压VDSS为1200V，适用于高压工作条件。导通电阻RDSON为80毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS最高可达20V，便于匹配不同的驱动需求。此MOSFET适用于需要高压、低功耗特性的设计方案，如高性能的电源模块、智能电网设备中的逆变技术以及高效的能源转换装置。