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此款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，拥有29安培的连续漏极电流（ID）和650伏特的漏源击穿电压（VDSS），适合于高压环境下的应用。其导通电阻（RDON）低至60毫欧，有助于减少功率损耗，提高能效。栅源电压（VGS）为15伏特，确保了器件的稳定驱动。该MOSFET适用于各种需要高效能、低损耗的电力转换与控制系统，如电源供应器、逆变器等场合。