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此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有15A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适合于需要较高电压耐受能力的应用场合。其导通电阻（RDS(on)）为100mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，能够在保证较低功耗的同时提供稳定的电流控制。适用于电源适配器、开关电源以及各种电子设备中的开关或调节功能，能够有效提升系统的整体性能和可靠性。
