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此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的导通电流（ID），并能在断态下承受高达1200V的电压（VDSS）。其低导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于减少电力损耗，提升转换效率。器件设计需18V的栅源电压（VGS）来触发，适用于高频开关电源、电力调节模块等高效能应用领域，有效支持精密电力控制需求。
