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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备63A的连续排水电流（ID），并在断态时能承受最高1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为32毫欧，在15V的栅源电压（VGS）下工作。作为一款N沟道器件，它适用于高效率电源转换应用，如开关电源供应器、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率管理的场合中，能够提供可靠的性能与出色的热稳定性。
