AP3P7R0EH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: 电流ID:80A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:5.5mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款P沟道场效应管(MOSFET)具备80A的连续漏极电流能力,最大漏源电压承受能力为30V。其导通电阻仅为5.5mΩ,在25V的工作电压范围内表现出色。这些特性使其成为需要高效能开关操作的理想选择,尤其适用于要求低损耗和高效率的应用场景中,如电源管理模块、便携式电子设备以及各类需要精确电流控制的电路设计。该MOSFET还支持快速开关,有助于减少能耗并提高系统稳定性。

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