-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的漏源极间最大电压（VDSS），适合应用于要求不高但稳定的电路中。其导通电阻（RDON）为48mΩ，虽然较高，但在低功耗需求的应用场景下仍能保持良好的性能。工作栅源电压（VGS）范围为±12V，确保了器件在不同条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET适用于电源开关、信号放大及各类电子设备中的电流控制，提供精确的操作体验。
