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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适用于高效率电源转换和开关应用。其导通电阻（RDON/mR）仅为3.8mΩ，在高频工作条件下能够保持较低的功率损耗。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS/V）为20V，确保了稳定的控制性能和开关速度。广泛适用于各类电子设备中的电源管理和信号处理电路。
