AP4062CMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN5X6-8L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 5000/圆盘
参数1: 电流ID:90A
参数2: 电压VDSS:30V
参数3: RDON:3.5mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气性能,支持最大漏极电流90A,耐压能力达30V,导通电阻低至3.5mΩ,可在±20V的栅源电压范围内稳定工作。这些特性使得该MOSFET特别适合应用于高效率电源转换、精密信号调节及复杂电路中的开关控制。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高系统整体效能。紧凑的设计便于集成到多种电子设备中,确保了在不同应用场景下的灵活性和可靠性。

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