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这款P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A的最大漏极电流（ID）和30V的漏源极间最大耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为45mΩ，在轻负载条件下也能保持较低的功耗。栅源极电压（VGS）范围为±12V，确保了在多种应用场景下的兼容性和稳定性。该MOSFET适用于便携式电子设备、电池管理系统以及开关电源等领域的电路设计，能够实现高效、可靠的开关与调节功能。
