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此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有10安培的最大连续漏极电流和650伏特的漏源极断态电压，确保在高压环境下稳定运行。其导通电阻为860毫欧，适用于要求高效能与低损耗的电路设计。支持最大30伏特的栅源电压，增强了其在复杂电路配置中的适用性。这款MOSFET特别适合用于电源管理、信号放大及各类电子设备中的开关控制应用。