-------<点击了解更多 + 购买>-------
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备16A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源极断态电压（VDSS），在30V的栅源电压（VGS）条件下，其导通电阻（RDON）低至450毫欧。该MOSFET适用于多种高性能电路设计，包括但不限于开关电源、逆变器以及电池管理等应用场景。其优异的电性能和热稳定性，使得它能够在各种复杂环境中保持高效运行，同时减少能量损失，提高系统的整体效能。
